Sobre las propiedades de transporte el.ectrico en .lms de Cr con ondas de densidad de esp..n con.nadas L. Tosi Centro At.omico Bariloche e Instituto Balseiro, Comisi.on Nacional de Energ..a At.omica, 8400 Bariloche, Argentina La idea de esta charla es presentar un estudio experimental de la resistividad . y el coe.ciente Hall RH de .lms delgados de Cr de diferente espesor crecidos epitaxilamente en la direcci.on (100) en funci.on de la temperatura T y el campo magn.etico aplicado H. El punto central es mostrar c.omo la cuantizaci.on de la onda de densidad de esp..n (SDW) en el interior del .lm por efecto del con.namento es responsable de dos particularidades principales: i) un comportamiento hister.etico de .(T) y RH en determinada regi.on de temperaturas que depende del espesor[1, 2], y ii) un \ruido" caracter..stico en .(T) que aparece en la misma regi.on de temperaturas donde se observa la hist.eresis[3]. Explicamos el comportamiento hister.etico en t.erminos de una transici.on de fase de primer orden entre dominios de SDW con N y N + 1 nodos. A cada temperatura dentro de la regi.on de hist.eresis existe una distribuci.on de estos dominios con diferentes tama~nos, energ..as locales y n.umero de nodos. Las transiciones que ocurren al variar la temperatura dan lugar al ruido en .(T). Finalmente, discutimos el origen del m..nimo en la resistividad presente a bajas temperaturas observado para todos los espesores estudiados. Seg.un entendemos, este m..nimo no se debe a una contribuci.on tipo Kondo al tiempo de relajaci.on ni a un scattering resonante generado por impurezas y/o vacancias no magn.eticas, sino que su origen est.a en un nesting imperfecto de los vectores Q que dan lugar a la SDW. |