Silicio poroso nanoestructurado: Fabricación y efectos asociados a la historia eléctrica Dr. Oscar Marín* Becario Postdoctoral CONICET Laboratorio de Física del Sólido y Laboratorio de Nanomateriales y Propiedades Dieléctricas Departamento de Física, Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología Universidad Nacional de Tucuman Argentina *Doctorado recientemente obtenido en INTEC (UNL-CONICET, Santa Fe) Resumen: El silicio poroso es un material semiconductor nanoestructurado. Se obtiene a través del anodizado de sustratos de silicio monocristalino y se caracteriza por tener una gran superficie activa. Como resultado de la fabricación, la superficie del silicio poroso contiene especies del tipo SiH, SiOH y SiO2. Debido al proceso de nanoestructuración que sufre el silicio monocristalino y a la composición de la superficie, el silicio poroso presenta propiedades eléctricas totalmente diferentes a su sustrato precursor. En esta charla se mostraran resultados experimentales que demuestran la existencia de efectos de memoria en dispositivos basados en silicio poroso, la mayoría de los cuales no habían sido observados y reportados para dispositivos basados en tecnologías de silicio. Se discute también la formación de zonas con carga espacial y la electromigración de hidrógeno como los posibles mecanismos que dominan estos efectos de memoria. FECHA: Jueves 18 de Abril, 15:00 hs LUGAR: Sala de Claustro, |
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